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Última Memoria PDF

  • Parte Nnmber
  • Fabricante
  • Descripción
  • UT61L5128MC-10
  • Utron 
  • Access time 10 ns, 512 K x 8 Bit high speed CMOS SRAM 
  • WS512K32F-85H2MEA
  • White-Electronic 
  • 85ns; 5V power supply; 512K x 32 SRAM module, SMD 5962-94611 
  • 5962R3829437SNC
  • UTMC 
  • Radiation-Hardened 8Kx8 SRAM SMD. Total dose 5E5 rads(Si). 55ns access time. QML class V. Lead finish gold. 
  • Am29LV400B150WAEB
  • AMD 
  • 4 Megabit (512 K x 8-bit/256 K x 16-bit) CMOS 3.0 volt-only boot sector flash memory, 150ns 
  • AM29LV400BT-80SE
  • AMD 
  • 4 megabit CMOS 3.0 volt-only simultaneous operation flash memory 
  • M5M51008BRV-70LL
  • Mitsubishi 
  • 1048576-bit (131072-word by 8-bit) CMOS static SRAM 
  • AV90C65V
  • ICST 
  • Dualvoltage video/memory clock generator 
  • 28C64ASI-3
  • Turbo-IC 
  • High speed CMOS. 64K electrically erasable programmable ROM. 8K x 8 bit EEPROM. Access time 200 ns. 
  • KM44C4005CS-5
  • Samsung 
  • 4M x 4bit CMOS quad CAS DRAM with extended data out, 50ns 
  • EN27LV010B90JI
  • Eon 
  • 1Megabit low voltage EPROM (128K x 8). Speed 90ns. 2.7V to 3.6V Vcc tolerance. 
  • WS512K32N-100H2IEA
  • White-Electronic 
  • 100ns; 5V power supply; 512K x 32 SRAM module, SMD 5962-94611